
Описание продукта MOSFET (МОП-транзистор, или полевой транзистор со структурой металл-оксид-полуподводник) – это полупроводниковый прибор, управляемый электрическим полем. Его ключевые преимущества включают низкую мощность управления, высокую скорость переключения и малые потери. Широко ...
MOSFET (МОП-транзистор, или полевой транзистор со структурой металл-оксид-полуподводник) — это полупроводниковый прибор, управляемый электрическим полем. Его ключевые преимущества включают низкую мощность управления, высокую скорость переключения и малые потери. Широко применяется в силовых преобразователях, системах управления электродвигателями и других областях. Благодаря разнообразию корпусов данные приборы могут быть адаптированы под различные требования по мощности и монтажу.
(1)Базовая структура: Состоит из трёх электродов: затвора (G), истока (S) и стока (D). Между затвором и каналом находится изолирующий оксидный слой. Включение и выключение проводящего канала управляется напряжением, приложенным к затвору.
(2)Ключевая классификация: По типу канала: Делятся на N-канальные (NMOS, имеют более широкое применение) и P-канальные (PMOS); По рабочему напряжению: Различают низковольтные (≤100 В), средне- и высоковольтные (100-1000 В) и сверхвысоковольтные (>1000 В); По материалу подложки: Кремниевые (низкая стоимость, отработанная технология) и на карбиде кремния (SiC, высокая термостойкость, отличные высокочастотные характеристики).
Ключевые преимущества: Низкие потери в открытом состоянии, высокая скорость переключения, отсутствие необходимости в постоянном токе управления. Это делает их идеальными для высокочастотных и высокоэффективных систем управления мощностью.
1. Корпуса для поверхностного монтажа:
(1) Корпус TO-252 :
Компактный силовой корпус с трёхвыводной L-образной конструкцией и теплоотводящей контактной площадкой на тыльной стороне. Размеры составляют приблизительно 10,3 мм × 6,6 мм. Обладает низким тепловым сопротивлением (типичное значение 5,5 °C/Вт) и малыми паразитными параметрами. Оптимален для применений средней и малой мощности, таких как DC-DC преобразователи и автомобильная электроника.
(2) Корпус TO-263 :
Увеличенная версия корпуса TO-252 с расширенной площадью теплоотводящей контактной площадки. Размеры составляют приблизительно 15,8 мм × 10,2 мм. Обладает повышенной токонесущей способностью и предназначен для применений средней мощности, таких как системы управления питанием и драйверы светодиодов.
(3) Корпус QFN :
Безвыводной плоский корпус, выводы которого расположены по периметру, а теплоотводящая контактная площадка открыта на нижней стороне. Обладает компактными размерами (например, 5 мм × 5 мм, 8 мм × 8 мм) и чрезвычайно низкой паразитной индуктивностью. Предназначен для высокочастотных и высокоплотных схем, таких как цепи быстрой зарядки мобильных устройств и миниатюрные источники питания.
(4) Корпус SO-8:
Восьмивыводной корпус малого форм-фактора. Обладает компактными размерами (приблизительно 4,9 мм × 3,9 мм) и подходит для применений с малой мощностью и многоканальных решений, таких как ключевые нагрузки и низковольтные DC-DC преобразователи.
2.Корпуса для сквозного монтажа
(1) Корпус TO-220:
Классический корпус для сквозного монтажа с тремя выводами и металлическим теплоотводом (фланцем) на тыльной стороне. Размеры составляют приблизительно 15 мм × 10 мм × 4,5 мм. Допускает установку внешнего радиатора, обладает низким тепловым сопротивлением (переход-корпус, порядка 3 °C/Вт). Оптимален для применений средней и высокой мощности, таких как инверторы, приводы электродвигателей и AC-DC адаптеры.
(2) Корпус TO-247:
Мощный корпус для сквозного монтажа, имеющий от 3 до 5 выводов и большую открытую металлическую теплоотводящую пластину. Размеры составляют приблизительно 21 мм × 16 мм × 5 мм. Обладает исключительной способностью к рассеиванию тепла, может выдерживать мощность в сотни ватт и ток в сотни ампер. Предназначен для промышленных частотных преобразователей, фотоэлектрических инверторов и мощных источников питания.
(3) Корпуса TO-220AB/AC:
Модификации корпуса TO-220. Версия AB имеет структуру с двумя транзисторами и общим катодом, а версия AC представляет собой конструкцию с одиночным транзистором. Обе сохраняют металлический теплоотводящий фланец и требуют установки внешнего радиатора через изолирующую прокладку. Предназначены для применения в специфических силовых топологиях схем.
3. Модульные силовые корпуса:
(1) Корпус TO-264:
Крупногабаритный силовой корпус с увеличенной площадью теплоотводящей пластины и более массивными выводами. Превосходит корпус TO-220 по допустимому току и рассеиваемой мощности. Предназначен для промышленных высокомощных ключевых устройств и мощных стабилизаторов.
(2) Модуль IPM (Интеллектуальный силовой модуль):
Комплексное решение в модульном исполнении, интегрирующее MOSFET, схемы управления и защиты. Отличается высокой надёжностью и упрощённой разводкой платы. Оптимален для мощных систем, таких как приводы электродвигателей и частотные преобразователи.
Сценарии с малой мощностью и высокой плотностью компоновки: В приоритете корпуса QFN , SO-8, TO-252.
Средняя мощность с требованием эффективного теплоотвода: Выбирайте корпуса TO-220 или TO-263.
Высокая мощность с требованием интенсивного теплоотвода: Оптимальны корпус TO-247, TO-264 или модуль IPM.
Высокочастотные применения: Приоритет за корпусами с низкими паразитными параметрами (QFN, TO-252) для минимизации потерь на переключение.
16N65F, 4N65F, 7N65F, 20N65F, 5N50, 7N50, 4N65, 5N65, 7N65, 380R65, 600R65 и другие.